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台媒:日企高层向台积电“负荆请罪”

台媒:日企高层向台积电“负荆请罪”

参考消息网8月9日报道 据台湾东森新闻网8月9日报道,台积电发生“内鬼”外泄2纳米制程技术事件,机密流向日本重要设备制造商东京电子公司。事件发生后,东京电子公司紧急派出高层飞到台湾,并直接到台积电“负荆请罪”,但因台积电已经提告,恐怕无济于事。

据彭博新闻社报道,台积电“内鬼”泄密事件让东京电子公司面临极大压力,公司管理层紧急前往台湾协调,处理后续事宜。

东京电子公司被指面临极大压力(资料图)

此外,据台湾《自由时报》报道,台积电在6月就发现有“内鬼”泄密,东京电子公司高层7月初就到台积电“负荆请罪”,对象是台积电执行副总经理、共同首席运营官秦永沛。

报道称,最后台积电仍决定提告,“内鬼”泄密案已进入司法程序,日本高层赴台可能对于泄密案没有帮助。

延伸阅读

台积电泄密风波引关注,全球2纳米工艺规模量产在即

闹得沸沸扬扬的台积电2纳米泄密风波,再度引起全球对于目前半导体最先进制程的关注度。

8月5日,晶圆代工巨头台积电对外宣布,公司2纳米芯片工艺相关机密涉嫌泄露,目前已解雇相关涉案员工,同时正式启动法律程序应对可能的商业机密外泄事件。

而此次风波的主角,2纳米制程工艺的进展也再度为外界关注。作为目前全球半导体最先进的技术企业之一,台积电方面年初曾透露,2纳米工艺将于今年下半年进入量产阶段,并被用于苹果旗舰新品iPhone18系列中的A20芯片。今年5月,台积电联席副COO张晓强表示,2纳米制程进展“非常顺利”,纳米片转换表现已达目标90%,良率超过80%。

CHIP中国实验室主任罗国昭告诉《中国经营报》记者,根据半导体业内标准,一般良率达到60%以上,即具备量产条件。而台积电如果达到其声称的80%良率,显然已足够进行规模量产并产生商业营收。

而就在泄密风波前不久,据多家媒体报道,台积电2纳米工艺进展再度更新,计划到2026年投入四家2纳米晶圆厂,总产能将超过每月6万片。

图为台积电标志(资料图/台媒)

台媒:日企高层向台积电“负荆请罪”

三星追逐台积电

作为2纳米的核心架构,被视为延续摩尔定律的全环绕栅极(GAAFET)晶体管技术目前已成为业界主流方向。罗国昭告诉记者,这一新架构能更有效地控制电流,显著降低功耗并提高性能。随着人工智能、高性能计算需求爆发,2纳米的应用前景也被广泛看好。

而在以GAAFET为研发方向的巨头中,位居前二的台积电和三星是两大代表。据权威市场研究机构Techovedas 统计,截至今年第一季度,台积电的市占率约为67.6%,三星约为7.7%。

这样的差距对比,也让三星对于实现赶超非常急迫。因此,三星早在3纳米节点就已率先导入GAAFET技术,旨在积累经验并抢占市场先机。然而,冒进尝试也让三星的3纳米良率问题频发,一度让三星饱受质疑,并使市场客户转单台积电。

但是,三星并未因此放弃2纳米研发。TrendForce研报指出,为了追赶台积电,三星计划2026年上半年启动2纳米量产,虽然由于初期良率略低于台积电,但正通过优化工艺与改良设备加速改善。

而就在上周,马斯克确认,三星近日与特斯拉签订了约165亿美元供应协议,用于后者AI加速芯片制造。这一消息也让市场对于三星的信心有了一定增强。

相比之下,台积电则更为从容,由于更高的良率与口碑,苹果、AMD、英伟达等科技巨头已纷纷预订其产能,苹果的A20芯片更是有望率先搭载台积电2纳米工艺,用于2026年款iPhone 18系列。

半导体分析师季维表示,从目前进展来看,三星与特斯拉的合作项目或要到2028年后才可能形成量产规模。因此,从短期来看,很难对台积电构成实质冲击。

据IC Insights统计,2025年全球2纳米及同级制程市场规模预计超过500亿美元,未来五年将以年均20%以上速度增长,台积电有望继续贡献超过半壁江山。

英特尔能否搅局

台积电、三星两大巨头争夺2纳米市场的同时,以更先进制程目标加入战局的老牌巨头英特尔则被外界视为现有格局可能的搅局者。

英特尔在其前任CEO帕特·基辛格期间,公布了“四年五个制程节点”战略,并以Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A和Intel 18A命名。其中,记者从英特尔方面了解到,18A即等效1.8纳米制程,该工艺引入了RibbonFET构架与PowerVia背面供电技术,后者可显著改善功耗与设计灵活性。根据英特尔的计划,是在2024年年底实现18A工艺的量产,并于2025年成为全球首家采用背面供电技术的芯片制造商。

据市场研究机构KeyBanc此前的研报指出,目前在2纳米级的节点中,英特尔的良率为55%,略高于三星40%的良率。但据公开报道,截至2025年年中,英特尔18A仅约10%的芯片满足质量标准,远低于70%—80%的盈亏平衡良率水平。

台媒:日企高层向台积电“负荆请罪”

在罗国昭看来,传统上英特尔的优势在于其IDM模式,能够更好地整合芯片设计与制造,理论上可以实现更快的技术迭代。但为了赶超三星与台积电,英特尔显然采取了更为激进的策略,直接在18A工艺中引入背面供电技术,试图通过技术创新实现“弯道超车”,而实际良率却并不理想,其量产启动延后,可能进一步错失市场窗口。

季维则认为,台积电高达每片3万美元的晶圆报价,是英特尔和三星的机会。在半导体的广泛客户群中,依然有大量追求性价比而非先进制程性能的客户群体,这是英特尔18A未来的潜在优势。

但其同时表示,代工市场非常依赖客户的长期信任,而英特尔在制程节点上曾有多次延期。要让苹果、英伟达等头部客户将核心产品交给英特尔代工,需要英特尔证明其工艺的稳定性和可靠性。

根据公开计划,英特尔最初打算将20A制程于2024年量产,随后调整为18A于2025年投入量产。但目前,据媒体报道,英特尔新CEO陈立武正考虑抛弃部分18A计划,转向更具竞争力的14A制程,以吸引苹果、英伟达等大客户。

应用前景获看好

随着2纳米制程工艺的商用临近,全球半导体产业链也在面临悄然重塑,同时带来众多下游应用领域的变革。

设备和材料供应商被认为是最先获益的半导体产业链环节。由于制造2纳米芯片需要更为先进的极紫外光刻(EUV)设备、高精度蚀刻机以及新型半导体材料。据半导体市场研究机构VLSI Research的数据,ASML作为EUV设备的唯一供应商,其市场地位将更加稳固。

目前仅有4家企业持续投入2纳米开发,图为2纳米芯片示意图(网络图)

同时,为适配2纳米工艺,光刻胶、硅片等材料也需性能升级。以英特尔的背面供电技术为例,其需要更复杂的背面金属化和晶圆键合工艺,这将推动相关材料供应商的技术创新。而台积电的多项2纳米创新技术,都指向通过将多个芯片集成在一个封装中,从而有效提升系统性能。业内认为,未来2纳米芯片将与这些先进封装技术紧密结合,共同打造更强大的异构计算系统。

在产业链下游,芯片设计企业也将因2纳米工艺受益。苹果、英伟达、AMD等公司的下一代产品有望采用2纳米芯片,从而实现性能飞跃。目前,苹果已计划在2026年的iPhone 18系列中采用台积电2纳米芯片。英伟达也将基于2纳米工艺研发新一代GPU。

这些巨头的参与,使得2纳米工艺将在消费电子、人工智能、物联网等应用领域注入强大动力。季维认为,如苹果新一代的A系列和M系列芯片将受益于2纳米制程,实现更强的图形处理能力、更长的电池续航和更流畅的用户体验。这将推动新一轮的手机性能升级。

此外,在AI算力领域,2纳米芯片正被视为基础配置。罗国昭表示,大语言模型和AI训练需求的爆发式增长,对算力的要求也水涨船高。这使得2纳米芯片高性能和低功耗特性凸显,前者将使数据中心的AI加速器和服务器处理器实现前所未有的突破,有效降低运营成本并提升运算效率。

据Mordor Intelligence预测,2025年全球半导体市场规模约7024.4亿美元,预计到2030年上升至9509.7亿美元,年均复合增长率约6.25%。在此基础上,2纳米引发的性能与能效升级将成为推动供需两端爆发的重要引擎。

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